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關(guān)于東領(lǐng)科技

東領(lǐng)科技裝備有限公司成立于2021年，工廠(chǎng)位于蘇州吳江汾湖科技創(chuàng)業(yè)園區(qū)，在上海，韓國(guó)均設(shè)有辦事處或子公司，矢志成為領(lǐng)先的半導(dǎo)體工藝所需的CVD/ALD設(shè)備的制造公司，服務(wù)全球客戶(hù)。

作為芯片制造工藝的設(shè)備企業(yè)，東領(lǐng)科技擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，聚焦于CVD/ALD設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以提供高端CVD/ALD設(shè)備的半導(dǎo)體公司。

服務(wù)全球客戶(hù)
領(lǐng)先的技術(shù)
優(yōu)秀研發(fā)團(tuán)隊(duì)

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產(chǎn)品中心

Product center

Thermal ALD-SiN設(shè)備

原子層沉積(ALD)是一種薄膜制備技術(shù)，可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層鍍?cè)诨妆砻?。在鍍膜過(guò)程中，兩種或更多的化學(xué)氣相前驅(qū)體依次在基底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)從而產(chǎn)生固態(tài)的薄膜。原子層沉積系統(tǒng)采用一種橫流式反應(yīng)腔，在該反應(yīng)腔內(nèi)有惰性載氣穿過(guò)，前驅(qū)體通過(guò)極短的脈沖注入到這個(gè)惰性載氣中。惰性載氣攜帶著前驅(qū)體脈沖作為一種有序“波”依次通過(guò)反應(yīng)腔，真空泵管路，過(guò)濾系統(tǒng)，并最終通過(guò)真空泵。在原子層沉積過(guò)程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。